von jack » So 22. Mär 2015, 16:42
Hallo liebe Community,
Zu meinem Thema/Skript/Projekt:
-Es soll eine kommentierte Formelsammlung mit Glossar sein.
Zu meinen Fragen:
-Wie bekomme ich hin das der Kommentar/Text zu den Formeln untereinander steht(auch der von unterschiedlichen align Blöcken) bzw. geht das überhaupt mit align? Ist eqnarray vielleicht passender? (habe aber hier gelesen das es veraltet ist und nicht mehr benutzt wird)
Mein Hauptproblem
-Habe ich für das Projekt überhaupt die richtigen Pakete benutzt (glossaries wollte bei mir einfach nicht laufen, war dann froh, dass es so ging
)?
-Gibt es sonstige Stil bzw. Darstellungsfehler?
Danke schon mal für eure Hilfe.
Viele Grüße
Hier ein Teil des Codes (hoffe er ist nicht zu lang)
\documentclass[fleqn,12pt]{article}
\usepackage[utf8x]{inputenc}
\usepackage[intoc]{nomencl}
\renewcommand{\nomname}{Glossar}
\makenomenclature
\usepackage[a4paper, top=2.5cm, bottom=2.5cm, left=2.2cm, right=2.2cm]{geometry}
\usepackage{amsmath}
\usepackage{amssymb}
\usepackage[ngerman]{babel}
\setlength\mathindent{2em}
\begin{document}
\title{Mikroelektronik I}
\author{Professor J. W.}
\maketitle
\section{Einführung}
\begin{align*}
J &= J_0 \cdot (e^{\frac{qV}{kT}} - 1) && \text{Diodengesetz}
\end{align*}
\section{Leitfähigkeit und Energiebänder}
\begin{align*}
&R = \rho \cdot \frac{L}{A} && \text{Widerstand}\\
&G = \sigma \cdot \frac{A}{L} && \text{Leitfähigkeit}\\
&E_i = - \frac{m_0 \cdot q^4}{8 \cdot \epsilon_0^2 \cdot h^2 \cdot i^2} && \text{Ioniesierungsenergie, H-Atom, i-te Schale} \\
&r_i = \frac{\epsilon_0 \cdot i^2 \cdot h^2}{q^2 \cdot \pi \cdot m_0} && \text{Radien, H-Atom, i-te Schale}
\end{align*}
\section{Silicium - der Werkstoff der Mikroelektronik}
\begin{align*}
&N = \frac{\text{Atomanzahl}}{\text{Volumen}} && \text{Atomdichte N}
\end{align*}
\section{Elektronen und Löcher in Halbleitern}
\allowdisplaybreaks {\begin{align*}
&D_c(E) = \frac{\sqrt{2}}{\pi^2 \dot{h}^3} \cdot (m_n^*)^{\frac{3}{2}} \cdot \sqrt{E - E_c} && \text{Zustandsdichte im Leitungsband mit $\dot{h} = \frac{h}{2 \pi}$} \\
&D_c(E) = 6,8 \cdot 10 ^{21} \cdot \left(\frac{m_n^*}{m_0} \right) ^{\frac{3}{2}} \cdot \sqrt{E - E_c} && \text{Zugeschnittene Größengleichung; $D_c(E)$ in $\left[\frac{1}{eVcm^3}\right]$}\\
&D_v(E) = 6,8 \cdot 10 ^{21} \cdot \left(\frac{m_p^*}{m_0} \right) ^{\frac{3}{2}} \cdot \sqrt{E_v - E} && \text{Zustandsdichte der Löcher; die Energien in $[eV]$}\\
&f(E) = \frac{1}{e^{\frac{E - E_F}{kT}} + 1} && \text{Besetzungswahrscheinlichkeit eines Elektrons, eines Zustands mit der Energie E}\\
&f(E) =: f_e(E) && \text{Besetzungswahrscheinlichkeit für Elektronen}
&f_h(E) = 1 - f_e(E) && \text{Besetzungswahrscheinlichkeit für Löcher}\\
&f(E_F + \Delta E) = 1 - f(E_F - \Delta E) && \text{Fermi-Verteilung ist punktsymmetrisch}\\
&f_{e, \text{boltz}}(E) = e^{- \frac{E - E_F}{kT}} && \text{Boltzmann-Näherung, gilt für $E - E_F > 3kT$}\\
&f_{h, \text{boltz}}(E) = e^{- \frac{E _F- E}{kT}} && \text{Boltzmann-Näherung, gilt für $E_F - E > 3kT$}\\
&n = \int_{E_C}^{\infty} D_C(E) f_e(E) \ dE && \text{Elektronenkonzentration im Leitungsband}\\
&n = \int_{-\infty}^{E_V} D_V(E) f_h(E) \ dE && \text{Lochkonzentration im Valenzband}\\
&n = N_C \cdot e^{- \frac{E_C - E_F}{kT}}\\
&p = N_V \cdot e^{- \frac{E_F - E_V}{kT}}
\end{align*} }
%Glossar
\newpage
\printnomenclature[1.7in]
\nomenclature{$k$}{Boltzmann-Konstante}
\nomenclature{$T$}{absolute Temperatur (in Kelvin)}
\nomenclature{$q$}{Elementarladung}
\nomenclature{$V$}{Spannung (Voltage)}
\nomenclature{$\rho$}{spezifischer Widerstand}
\nomenclature{$\sigma$}{Leitfähigkeit}
\nomenclature{Dotierung}{gezieltes Verunreinigen}
\nomenclature{Si}{Silizium}
\nomenclature{GaAs}{Galiumarsenit}
\nomenclature{Leiter}{$\rho \leq 10^{-4}~\Omega cm$}
\nomenclature{Halbleiter}{$10^{-4} ~\Omega cm \leq \rho \leq 10^{12}~\Omega cm$}
\nomenclature{NichtleiterIsolator}{$\rho \geq 10^{12}~\Omega cm $}
\nomenclature{$h$}{Plank-Konstante}
\nomenclature{$\epsilon_0$}{Dielektrizitätskonstante des Vakuum}
\nomenclature{$m_0$}{Elektronenmasse}
\nomenclature{Vakuumenergie $E_{vac}$}{Energie um das Elektron "rauszuholen"}
\nomenclature{intrinsisch}{undotiert, gereinigt}
\nomenclature{Donator}{gibt ein Elektron ab, dieses kann leicht abgelöst werden}
\nomenclature{Akzeptor}{nimmt Elektron auf; erzeugt Loch (Lochdonator)}
\nomenclature{$M_C$}{Anzahl äquivalenter Leitungsbänder (Si: $M_C = 6$)}
\nomenclature{$\varepsilon$}{Elektrisches Feld}
\nomenclature{$f(E)$}{Fermi-Dirac-Verteilung, Besetzungswahrscheinlichkeit}
\end{document}Hallo liebe Community,
Zu meinem Thema/Skript/Projekt:
-Es soll eine kommentierte Formelsammlung mit Glossar sein.
Zu meinen Fragen:
-Wie bekomme ich hin das der Kommentar/Text zu den Formeln untereinander steht(auch der von unterschiedlichen align Blöcken) bzw. geht das überhaupt mit align? Ist eqnarray vielleicht passender? (habe aber hier gelesen das es veraltet ist und nicht mehr benutzt wird) [b]Mein Hauptproblem[/b]
-Habe ich für das Projekt überhaupt die richtigen Pakete benutzt (glossaries wollte bei mir einfach nicht laufen, war dann froh, dass es so ging :) )?
-Gibt es sonstige Stil bzw. Darstellungsfehler?
Danke schon mal für eure Hilfe.
Viele Grüße
Hier ein Teil des Codes (hoffe er ist nicht zu lang)
[code]
\documentclass[fleqn,12pt]{article}
\usepackage[utf8x]{inputenc}
\usepackage[intoc]{nomencl}
\renewcommand{\nomname}{Glossar}
\makenomenclature
\usepackage[a4paper, top=2.5cm, bottom=2.5cm, left=2.2cm, right=2.2cm]{geometry}
\usepackage{amsmath}
\usepackage{amssymb}
\usepackage[ngerman]{babel}
\setlength\mathindent{2em}
\begin{document}
\title{Mikroelektronik I}
\author{Professor J. W.}
\maketitle
\section{Einführung}
\begin{align*}
J &= J_0 \cdot (e^{\frac{qV}{kT}} - 1) && \text{Diodengesetz}
\end{align*}
\section{Leitfähigkeit und Energiebänder}
\begin{align*}
&R = \rho \cdot \frac{L}{A} && \text{Widerstand}\\
&G = \sigma \cdot \frac{A}{L} && \text{Leitfähigkeit}\\
&E_i = - \frac{m_0 \cdot q^4}{8 \cdot \epsilon_0^2 \cdot h^2 \cdot i^2} && \text{Ioniesierungsenergie, H-Atom, i-te Schale} \\
&r_i = \frac{\epsilon_0 \cdot i^2 \cdot h^2}{q^2 \cdot \pi \cdot m_0} && \text{Radien, H-Atom, i-te Schale}
\end{align*}
\section{Silicium - der Werkstoff der Mikroelektronik}
\begin{align*}
&N = \frac{\text{Atomanzahl}}{\text{Volumen}} && \text{Atomdichte N}
\end{align*}
\section{Elektronen und Löcher in Halbleitern}
\allowdisplaybreaks {\begin{align*}
&D_c(E) = \frac{\sqrt{2}}{\pi^2 \dot{h}^3} \cdot (m_n^*)^{\frac{3}{2}} \cdot \sqrt{E - E_c} && \text{Zustandsdichte im Leitungsband mit $\dot{h} = \frac{h}{2 \pi}$} \\
&D_c(E) = 6,8 \cdot 10 ^{21} \cdot \left(\frac{m_n^*}{m_0} \right) ^{\frac{3}{2}} \cdot \sqrt{E - E_c} && \text{Zugeschnittene Größengleichung; $D_c(E)$ in $\left[\frac{1}{eVcm^3}\right]$}\\
&D_v(E) = 6,8 \cdot 10 ^{21} \cdot \left(\frac{m_p^*}{m_0} \right) ^{\frac{3}{2}} \cdot \sqrt{E_v - E} && \text{Zustandsdichte der Löcher; die Energien in $[eV]$}\\
&f(E) = \frac{1}{e^{\frac{E - E_F}{kT}} + 1} && \text{Besetzungswahrscheinlichkeit eines Elektrons, eines Zustands mit der Energie E}\\
&f(E) =: f_e(E) && \text{Besetzungswahrscheinlichkeit für Elektronen}
&f_h(E) = 1 - f_e(E) && \text{Besetzungswahrscheinlichkeit für Löcher}\\
&f(E_F + \Delta E) = 1 - f(E_F - \Delta E) && \text{Fermi-Verteilung ist punktsymmetrisch}\\
&f_{e, \text{boltz}}(E) = e^{- \frac{E - E_F}{kT}} && \text{Boltzmann-Näherung, gilt für $E - E_F > 3kT$}\\
&f_{h, \text{boltz}}(E) = e^{- \frac{E _F- E}{kT}} && \text{Boltzmann-Näherung, gilt für $E_F - E > 3kT$}\\
&n = \int_{E_C}^{\infty} D_C(E) f_e(E) \ dE && \text{Elektronenkonzentration im Leitungsband}\\
&n = \int_{-\infty}^{E_V} D_V(E) f_h(E) \ dE && \text{Lochkonzentration im Valenzband}\\
&n = N_C \cdot e^{- \frac{E_C - E_F}{kT}}\\
&p = N_V \cdot e^{- \frac{E_F - E_V}{kT}}
\end{align*} }
%Glossar
\newpage
\printnomenclature[1.7in]
\nomenclature{$k$}{Boltzmann-Konstante}
\nomenclature{$T$}{absolute Temperatur (in Kelvin)}
\nomenclature{$q$}{Elementarladung}
\nomenclature{$V$}{Spannung (Voltage)}
\nomenclature{$\rho$}{spezifischer Widerstand}
\nomenclature{$\sigma$}{Leitfähigkeit}
\nomenclature{Dotierung}{gezieltes Verunreinigen}
\nomenclature{Si}{Silizium}
\nomenclature{GaAs}{Galiumarsenit}
\nomenclature{Leiter}{$\rho \leq 10^{-4}~\Omega cm$}
\nomenclature{Halbleiter}{$10^{-4} ~\Omega cm \leq \rho \leq 10^{12}~\Omega cm$}
\nomenclature{NichtleiterIsolator}{$\rho \geq 10^{12}~\Omega cm $}
\nomenclature{$h$}{Plank-Konstante}
\nomenclature{$\epsilon_0$}{Dielektrizitätskonstante des Vakuum}
\nomenclature{$m_0$}{Elektronenmasse}
\nomenclature{Vakuumenergie $E_{vac}$}{Energie um das Elektron "rauszuholen"}
\nomenclature{intrinsisch}{undotiert, gereinigt}
\nomenclature{Donator}{gibt ein Elektron ab, dieses kann leicht abgelöst werden}
\nomenclature{Akzeptor}{nimmt Elektron auf; erzeugt Loch (Lochdonator)}
\nomenclature{$M_C$}{Anzahl äquivalenter Leitungsbänder (Si: $M_C = 6$)}
\nomenclature{$\varepsilon$}{Elektrisches Feld}
\nomenclature{$f(E)$}{Fermi-Dirac-Verteilung, Besetzungswahrscheinlichkeit}
\end{document}[/code]